“18A 공정으로 혁신 이룰 것” 인텔, 팬서 레이크 아키텍처 공개
인텔 18A는 미국에서 개발 및 제조된 최초의 2나노미터급 반도체 노드다. 인텔 3 공정 대비 와트당 성능 15% 향상, 칩 밀도 30% 개선을 달성했으며, 미국 오리건주에서 개발 및 검증 과정을 거쳐 애리조나에서 대량 생산이 진행되고 있다. 인텔 18A에는 인텔이 새롭게 선보이는 리본FET(RibbonFET) 트랜지스터 구조가 적용됐다. 이 기술은 스위칭 효율을 높여 전력 소모를 줄이는 동시에 성능을 극대화한다.…

