인텔, 소프트뱅크와 차세대 메모리 ‘ZAM’ 개발···분석가 “아직은 먼 얘기”

인텔이 옵테인(Optane) 제품군을 단종한 지 4년 만에 다시 메모리 사업에 복귀한다. 인텔은 소프트뱅크의 자회사와 협력해 ‘ZAM’이라는 새로운 메모리 기술을 선보일 계획이다.

ZAM은 Z-앵글 메모리(Z-Angle Memory)의 약자로, 인텔과 소프트뱅크 산하 사이메모리가 공동 개발하고 있다. ZAM 메모리 기술 개발은 미국 에너지부가 주도한 첨단 메모리 기술(AMT) 프로그램 아래에서 시작된 것으로 알려졌으며, 인텔이 ‘차세대 디램(DRAM) 본딩 프로젝트’라고 부른 연구 목표의 일환이다.

사이메모리(Saimemory)는 2024년 12월 설립된 기업으로, AI에 특화된 차세대 반도체 메모리 기술을 개발해 HBM(고대역폭 메모리)의 대안을 제시하는 데 주력하고 있다. CEO는 도시바 반도체 부문에서 40년간 경력을 쌓은 야마구치 히데야이며, CTO 스티븐 모레인은 인텔에서 수석 프린시펄 엔지니어이자 시스템 및 실리콘 아키텍트로 근무한 바 있다.

다만 단기간 내 성과를 기대하기는 어렵다. 인텔 글로벌 전략 파트너십 디렉터 사남 마스로르가 향후 계획을 언급한 블로그 게시글에 따르면, 관련 사업 운영은 2026년 1분기에 시작되며 시제품은 2027년에 출시할 예정이다. 상용 제품 출시는 2030년을 목표로 하고 있다.

인텔이 공식적으로 밝히지는 않았지만, 해당 메모리 설계는 GPU 가속기와 AI 데이터센터에서 사용되는 HBM와 거의 동일한 구조를 갖고 있는 것으로 알려졌다. 일반적인 디램이 메모리 모듈 형태로 메인보드에 장착되는 반면, HBM은 GPU 다이 바로 위에 탑재돼 GPU가 즉각적으로 접근할 수 있는 것이 특징이다.

HBM은 DDR 메모리보다 속도가 훨씬 빠르고 제조 비용도 높다. 하지만 표준 디램보다 수익성이 뛰어나 마이크론, 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조사들이 HBM 생산에 집중하고 있다.

메모리 시장을 분석하는 리서치 업체 오브젝티브 애널리시스(Objective Analysis)의 대표 짐 핸디는 인텔이 실제 제품을 출하하기까지 아직 갈 길이 멀다는 점을 가장 큰 우려로 꼽았다.

핸디는 “완전히 실체 없는 계획이라고는 하지 않겠지만, 2030년에야 대량 생산이 예정된 기술에 대해 지금 발표하는 것은 다소 이르다. 발표 내용이 모호한 점은 이해할 수 있으나, 이번 발표만으로는 이것이 큰 성공으로 이어질 것이라는 확신을 주기에는 부족하다”라고 평가했다.
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